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onsemi NTMFS4C302NT1G
| Artikelnummer: | NTMFS4C302NT1G |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 41A/230A 5DFN |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
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onsemi NTMFS4C302NT1G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments NTMFS4C302NT1G.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Serie - Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.15mOhm @ 30A, 10V Verlustleistung (max) 3.13W (Ta), 96W (Tc) Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN, 5 Leads Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5780 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 82 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 41A (Ta), 230A (Tc) Grundproduktnummer NTMFS4 NTMFS4C302NT1G Einzelheiten PDF [English] NTMFS4C302NT1G PDF - EN.pdf -
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